电子科学与技术专业博士，助理研究员，硕士生导师
2018年获电子科技大学电子科学与技术学士学位，2023年获上海交通大学信息与通信工程博士学位，同年进入上海交通大学电子信息与电气工程学院担任助理研究员。研究方向是光电集成器件以及系统研究。作为项目骨干参与科技部重点研发项目、军科委重点项目等各类研究项目5项。以第一作者或共同作者在国际光子学领域重要刊物（Nature Communications、Optics Expressl等）发表或录用SCI论文5篇。已授权中国发明专利8项，美国发明专利1项。
代表论文
- 徐绍夫，王静，易思成，邹卫文，High-order tensor flow processing using integrated photonic circuits[J]. Nature Communications, 2022, 13(1): 7970.
- 王静，杨皓如，邹卫文，Engineering a sandwiched Si/I/LNOI structure for 180-GHz-bandwidth electro-optic modulator with fabrication tolerances[J]. Optics Express, 2022, 30(20): 35398-35408.
- 王静，熊妮娜，邹卫文，Loss compensation of ultra-wideband electro-optic modulator in heterogeneous silicon/erbium-doped lithium niobate [J]. Optics Letters, 2023, 48(13): 3399-3402.
- 王静，杨皓如，熊妮娜，张慕言，钱娜，易思成，徐绍夫，邹卫文，Toward photonic-electronic convergence based on heterogeneous platform of merging lithium niobate into silicon (invited)[J]. Journal of the Optical Society of America B, 2023, 40(6): 1573-1590.
- 王静，徐绍夫，陈静，邹卫文，A heterogeneous silicon on lithium niobate modulator for ultra-compact and high-performance photonic integrated circuits[J]. IEEE Photonics Journal, 2021, 13(1): 1-12.
承担项目
- 国家重点研发计划项目：高精度光学模数转换芯片，项目时间：2020-2022，参与
- 国家重点研发计划项目：专用IC芯片，项目时间：2022-2025，参与
申请专利
- 邹卫文，王静，徐绍夫，刘建国，基于铌酸锂-硅晶圆的光电单片集成系统，中国，CN111273464A
- 邹卫文，王静，徐绍夫，王兴军，基于铌酸锂-硅晶圆的高速低电压电光调制器，中国，CN111175999A
- 邹卫文，王静，徐绍夫，一种基于多材料体系的光电单片集成系统，中国，CN111474745A
- 邹卫文，徐绍夫，王静，陈建平，平铺型光子神经网络卷积层芯片，中国，CN109254350A
- 邹卫文，徐绍夫，王静，陈建平，硅基铌酸锂薄膜电光调制器阵列集成的方法，中国，CN110161625A
- 邹卫文，徐绍夫，王静，王兴军，基于铌酸锂-硅晶圆的单片集成光模数转换系统及制备方法，中国，CN111176053A
- 邹卫文，徐绍夫，王静，单片集成光子卷积神经网络计算系统及其制备方法，中国，CN111461317A
- 邹卫文，徐绍夫，王静，基于铌酸锂-氮化硅晶圆的光电单片集成系统，中国，CN111276562A
- 邹卫文，徐绍夫，王静，陈建平，Silicon-Based Lithium Niobate Film Electro-Optic Modulator Array And Integration Method Thereof，美国，US11204535B2